سامسونگ از تراشه حافظه V10 BV-NAND با بیش از 400 لایه رونمایی کرد

سامسونگ الکترونیک در نمایشگاه Future of Memory and Storage یا FMS 2026 از تراشه حافظه V10 BV-NAND خود رونمایی کرد. این تراشه از معماری نسل دهم حافظه فلش NAND عمودی این شرکت بهره می برد و یک ارتقای فنی مهم نسبت به نسل های قبلی تراشه های NAND فلش به شمار می رود.

تراشه V10 BV-NAND از یک فناوری جدید موسوم به wafer bonding استفاده می کند و سامسونگ نخستین شرکت در این صنعت است که چنین معماری ای را معرفی کرده است. این فناوری به سامسونگ اجازه می دهد بیش از 400 لایه را روی هم انباشته کند که نتیجه آن حدود 58 درصد افزایش تراکم حافظه نسبت به تراشه های نسل نهم یا V9 NAND است. این تراشه همچنین عملکرد بهتری در خواندن، نوشتن و ورودی خروجی داده ها ارائه می دهد و از نظر مصرف انرژی نیز بهینه تر شده است.

گوشی سامسونگخرید گوشی سامسونگ

گوشی موبایل سامسونگ مدل گلکسی A57 دو سیم کارت ظرفیت 512 گیگابایت و رم 12 گیگابایت

169,200,000 تومان

گوشی موبایل سامسونگ مدل گلکسی A27 دو سیم کارت ظرفیت 256 گیگابایت و رم 8 گیگابایت

99,100,000 تومان

گوشی موبایل سامسونگ مدل گلکسی A27 دو سیم کارت ظرفیت 128 گیگابایت و رم 6 گیگابایت

79,100,000 تومان

گوشی موبایل سامسونگ مدل گلکسی A57 دو سیم کارت ظرفیت 128 گیگابایت و رم 8 گیگابایت

126,200,000 تومان

گوشی موبایل سامسونگ مدل گلکسی A57 دو سیم کارت ظرفیت 256 گیگابایت و رم 8 گیگابایت

136,200,000 تومان

گوشی موبایل سامسونگ مدل گلکسی A57 دو سیم کارت ظرفیت 256 گیگابایت و رم 12 گیگابایت

157,200,000 تومان

گوشی موبایل سامسونگ مدل گلکسی A37 دو سیم کارت ظرفیت 128 گیگابایت و رم 8 گیگابایت

99,100,000 تومان

سامسونگ این تراشه جدید را برای مدیریت بارهای کاری بلادرنگ و داده محور در سرورهای هوش مصنوعی طراحی کرده است، به گونه ای که عملکرد بالاتری ارائه دهد و در عین حال انرژی کمتری مصرف کند.

سامسونگ هنوز زمان عرضه تجاری تراشه های V10 BV-NAND را اعلام نکرده است. با این حال، احتمال دارد این تراشه ها پیش از تراشه های نسل V11 NAND فلش عرضه شوند که انتظار می رود معرفی آنها در سال 2027 انجام شود.

منبع: SamMobile